4月24日，DeepSeek正式開源V4系列預(yù)覽版本，Pro版1.6T參數(shù)、百萬字超長(zhǎng)上下文，性能比肩GPT-5.4等頂級(jí)閉源模型，華為昇騰、海光DCU等國(guó)產(chǎn)算力芯片完成Day0適配。而DeepSeek官方表示，受限于高端算力，目前V4 Pro的服務(wù)吞吐十分有限——這一“算力饑渴”信號(hào)，恰與近期臺(tái)積電、ASML的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作形成呼應(yīng)。

從大模型突破到先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)，從國(guó)產(chǎn)算力適配到設(shè)備訂單兌現(xiàn)，半導(dǎo)體設(shè)備正成為本輪AI景氣周期中確定性最強(qiáng)的受益環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）大漲5%，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測(cè)試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，有望在本輪“國(guó)產(chǎn)算力拐點(diǎn)+全球擴(kuò)產(chǎn)共振+先進(jìn)封裝升級(jí)”三重驅(qū)動(dòng)中系統(tǒng)性受益。

【國(guó)產(chǎn)算力拐點(diǎn)確立：DeepSeek-V4“呼喚”先進(jìn)制程產(chǎn)能】

招商證券研報(bào)指出，DeepSeek-V4將全面運(yùn)行于華為昇騰950PR芯片，底層代碼從CUDA遷移至華為CANN Next，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)算力拐點(diǎn)已至。V4-Pro在AgenticCoding評(píng)測(cè)中達(dá)到當(dāng)前開源模型最佳水平，在數(shù)學(xué)、STEM等測(cè)評(píng)中超越所有已公開評(píng)測(cè)的開源模型，比肩世界頂級(jí)閉源模型。然而受限于高端算力供給，V4 Pro當(dāng)前服務(wù)吞吐十分有限，DeepSeek預(yù)計(jì)下半年昇騰950超節(jié)點(diǎn)批量上市后價(jià)格才會(huì)大幅下調(diào)。

國(guó)產(chǎn)大模型的能力躍升與算力瓶頸并存，背后是對(duì)先進(jìn)制程產(chǎn)能的迫切需求。臺(tái)積電Q1法說會(huì)明確HPC業(yè)務(wù)收入占比已突破61%，且仍保持20%的環(huán)比高速增長(zhǎng)，智能手機(jī)業(yè)務(wù)則環(huán)比下滑。AI芯片需求已遠(yuǎn)超傳統(tǒng)消費(fèi)電子，成為先進(jìn)制程的絕對(duì)核心增長(zhǎng)引擎。臺(tái)積電加碼資本支出至520-560億美元，核心原因正是AI與HPC需求遠(yuǎn)超預(yù)期、供應(yīng)持續(xù)緊張。從設(shè)計(jì)到制造再到設(shè)備，AI驅(qū)動(dòng)的擴(kuò)產(chǎn)浪潮正在全產(chǎn)業(yè)鏈共振。

【先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)：HBM與3D NAND驅(qū)動(dòng)設(shè)備價(jià)值量躍升】

長(zhǎng)江證券研報(bào)指出，先進(jìn)封裝逐步成為芯片性能提升的核心驅(qū)動(dòng)力，異構(gòu)集成芯片被認(rèn)為是微電子行業(yè)正在經(jīng)歷的第四波重大技術(shù)浪潮。在HBM和3D NAND領(lǐng)域，通過硅通孔（TSV）進(jìn)行3D堆疊封裝的技術(shù)路徑正加速滲透，鍵合設(shè)備、激光劃切設(shè)備、激光直寫設(shè)備等環(huán)節(jié)直接受益。愛建證券研報(bào)進(jìn)一步指出，SanDisk已計(jì)劃2026年下半年推出高帶寬閃存（HBF）試點(diǎn)產(chǎn)品線，其技術(shù)路徑與HBM相似，現(xiàn)有服務(wù)于HBM產(chǎn)業(yè)鏈的設(shè)備與材料供應(yīng)商技術(shù)優(yōu)勢(shì)將直接遷移至HBF領(lǐng)域，設(shè)備端需求有望進(jìn)一步擴(kuò)容。

國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域正加速追趕。TCB鍵合設(shè)備國(guó)產(chǎn)正進(jìn)入驗(yàn)證階段，激光劃切設(shè)備逐步開啟國(guó)產(chǎn)替代，激光直寫設(shè)備在先進(jìn)封裝領(lǐng)域有望迎來放量。國(guó)內(nèi)龍頭芯碁微裝正處在“PCB基本盤穩(wěn)固+先進(jìn)封裝第二曲線爆發(fā)”的多重增長(zhǎng)引擎驅(qū)動(dòng)階段。

【半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）——覆蓋刻蝕、薄膜、封裝全鏈條，布局?jǐn)U產(chǎn)核心環(huán)節(jié)】

當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備板塊同時(shí)受益于“國(guó)產(chǎn)算力拐點(diǎn)確立+全球先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)+先進(jìn)封裝升級(jí)”三重邏輯。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）跟蹤中證半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)，成分股覆蓋中微公司、北方華創(chuàng)等刻蝕與薄膜沉積龍頭，拓荊科技等先進(jìn)封裝設(shè)備先鋒，及華海清科、中科飛測(cè)等量檢測(cè)環(huán)節(jié)核心標(biāo)的，全面覆蓋從晶圓制造到先進(jìn)封裝的關(guān)鍵設(shè)備環(huán)節(jié)。

數(shù)據(jù)來源：中證指數(shù)，截至2026.4.24。上述個(gè)股僅供展示指數(shù)權(quán)重，非個(gè)股推薦，不構(gòu)成任何投資建議

相較于個(gè)股投資，ETF能夠有效分散單一技術(shù)路線和客戶驗(yàn)證的風(fēng)險(xiǎn)。在DeepSeek-V4觸發(fā)國(guó)產(chǎn)算力拐點(diǎn)、臺(tái)積電與ASML財(cái)報(bào)驗(yàn)證全球擴(kuò)產(chǎn)景氣、先進(jìn)封裝驅(qū)動(dòng)設(shè)備價(jià)值量躍升的多重催化下，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）為投資者提供了一鍵布局半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)核心環(huán)節(jié)的高效工具。

風(fēng)險(xiǎn)提示：提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的承諾或保證。觀點(diǎn)可能隨市場(chǎng)環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同，敬請(qǐng)投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。涉及基金費(fèi)率請(qǐng)查閱法律文件。