臺(tái)積電表示，芯片需求將持續(xù)保持強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2026年資本支出將達(dá)520億至560億美元區(qū)間的高位，以美元計(jì)的全年?duì)I收增幅將超30%。此外，Intel和AMD已通知客戶，將全系列服務(wù)器CPU上調(diào)價(jià)格，交貨周期顯著延長(zhǎng)。2月以來(lái)CPU普遍漲幅在10-15%。AMD多次強(qiáng)調(diào)26年CPU已全面售罄，未來(lái)3-5年內(nèi)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)年增長(zhǎng)率或超60%，短期內(nèi)需求沒(méi)有任何放緩或停止的跡象。

受此消息催化，科創(chuàng)芯片ETF（588290）今日上漲2.37%。重倉(cāng)股中，寒武紀(jì)-U上漲0.53%、海光信息上漲2.63%、中芯國(guó)際上漲0.38%。截止上個(gè)交易日數(shù)據(jù)，該基金15日累計(jì)漲幅18.09%，動(dòng)能強(qiáng)勁。該ETF的管理費(fèi)僅為0.15%，托管費(fèi)0.05%，是全市場(chǎng)跟蹤同一指數(shù)中費(fèi)率最低的產(chǎn)品。對(duì)于長(zhǎng)期投資者而言，低費(fèi)率意味著更多的收益留存，成本優(yōu)勢(shì)顯著。

全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈正面臨結(jié)構(gòu)性變革，存儲(chǔ)芯片短缺持續(xù)加劇，美光科技等企業(yè)預(yù)測(cè)緊缺狀況將延續(xù)至2026年后，HBM存儲(chǔ)芯片年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)超40%。

存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，行業(yè)產(chǎn)值創(chuàng)歷史新高，2026年存儲(chǔ)器產(chǎn)值預(yù)計(jì)同比激增134%，三星電子已在第一季度將NAND閃存價(jià)格上調(diào)超100%，且漲價(jià)勢(shì)頭預(yù)計(jì)延續(xù)。DRAM和NAND Flash的價(jià)格漲跌幅區(qū)間為5.95%-63.43%，存儲(chǔ)漲價(jià)效應(yīng)從AI擴(kuò)散到其他領(lǐng)域，在供給持續(xù)收縮趨勢(shì)下，存儲(chǔ)價(jià)格漲勢(shì)仍將持續(xù)。

從具體芯片類型來(lái)看，HBM與高端DRAM成為存儲(chǔ)廠商盈利增長(zhǎng)核心。SK海力士HBM銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)逾一倍，驅(qū)動(dòng)整體業(yè)績(jī)創(chuàng)新高；三星電子HBM4芯片已通過(guò)英偉達(dá)、AMD認(rèn)證，將于1Q26開(kāi)始交付。HBM作為AI服務(wù)器的核心配套器件，成為頭部廠商的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)支柱，AI相關(guān)DRAM與NAND產(chǎn)品銷(xiāo)量有望持續(xù)擴(kuò)大。

目前，中國(guó)正積極應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)，深圳市發(fā)布人工智能服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展計(jì)劃，明確支持存儲(chǔ)芯片研發(fā)及先進(jìn)封裝技術(shù)攻關(guān)，構(gòu)建適配大模型訓(xùn)練的高端存儲(chǔ)供應(yīng)體系。（聲明：以上信息僅供參考，不構(gòu)成投資建議。市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。）