1月26日午后，市場延續(xù)震蕩調整走勢，截至14:35，上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數下跌1.1%。

消息面上，三星電子將第一季度NAND閃存供應價格上調100%以上，漲幅遠超市場預期。這是繼DRAM內存價格上調近70%后，存儲市場釋放的又一調價信號。

招商證券認為，2026第一季度各品類存儲價格環(huán)比漲幅超預期，預計2026年全年全球存儲供給整體維持偏緊狀態(tài)，AI需求增長持續(xù)高于產能擴張速度，其他消費類存儲和利基型存儲受到產能擠壓和下游恐慌備貨等因素，價格漲幅也遠超常規(guī)水平。今年國內存儲產業(yè)鏈多環(huán)節(jié)都將受益于缺貨漲價浪潮，核心建議關注存儲原廠、存儲模組/芯片公司、存儲封測/代工等環(huán)節(jié)。

上證科創(chuàng)板芯片設計主題指數由科創(chuàng)板內不超過50只業(yè)務涉及芯片設計領域的股票組成，指數前五大權重股為海光信息、瀾起科技、寒武紀、芯原股份、東芯股份，數字芯片設計行業(yè)合計占比超75%，在AI驅動的新范式下具備長期成長潛力?？苿?chuàng)芯片設計ETF易方達（589030）跟蹤該指數，可助力投資者把握存儲芯片上行周期布局機會。